Improving NAND Endurance by Dynamic Program and Erase Scaling

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title: Improving NAND Endurance by Dynamic Program and Erase Scaling
where: HotStorage13

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1. flash的endurance和program時用的電壓有關~ (電壓越大~命越短)
2. 承上，所以program speed和endurance就是一個tradeoff囉。(電壓越大寫越快)
3 他就弄了一個FTL叫 DPES-FTL (dynamic program and erase scaling (DPES))，希望可以提高endurance而又不要害到write speed太多

how ? 
→ 兩個write req之間的idle time時用小電壓

如何知道會有idle time?
→ by estimation

contributions
1. endurance-programSpeed model
2. DEPS-FTL

Program Interference in MLC NAND

Program Interference in MLC NAND Flash Memory: Characterization, Modeling, and Mitigation' ICCD13
http://users.ece.cmu.edu/~omutlu/pub/flash-programming-interference_iccd13.pdf


建一個model，讓你知道在什麼情況下會發生 program interference
情況包含: 1 program location
2 program order 
3 current P/E cycle
準度有96%呢~~好強喔~~~ 

然後呢，要幹麻?
→ 用途1，你可以把這個model掛上disksim，就可以做這方面的實驗了。

那他拿來幹麻?
→ 他用他預測的model，來做偷調電壓的動作 (我沒看很仔細)
例如: 某個cell讀出來 10V，他查一下model認定該cell原本應該是8V
是被干擾才變成10V，所以就扣減2V

好處?
→ 如果真的被他猜對，原本可能要ECC幫忙的，就省起來了~

省起來又怎樣? ECC不是電路在作嗎?
→ ECC發現error會在correct完後"再寫回"，所以如果可以把不用correct
就可以省寫很多pages啦~